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机译:亚微米BiCMOS兼容高压NMOS和PMOS器件的设计与表征
机译:采用标准0.25μmCMOS技术的高压NMOS和PMOS器件的设计和表征
机译:用于12.3兆像素,完全耗尽,背照式,高压兼容电荷耦合器件的器件设计
机译:0.5标准CMOS工艺中高压NMOS结构的设计与表征
机译:标准CMOS工艺中与STI兼容的高压NMOS和PMOS器件的设计与表征
机译:亚微米BICMOS兼容的高压装置结构
机译:使用全NMOS电源开关和超低静态电流控制器的高压能量收集接口用于物联网系统中不规则的动能收集改进了1365%
机译:利用新型PMOS和NMOS的铝系统设计为低功率和高速应用