...
机译:使用高$ k氧化Pra层的AlGaN / GaN MOS-HEMT的器件特性
III-V semiconductors; MIS devices; aluminium compounds; annealing; gallium compounds; high electron mobility transistors; high-k dielectric thin films; leakage currents; praseodymium compounds; thermal stability; wide band gap semiconductors; AlGaN-GaN-Pr2/su;
机译:用过氧化氢氧化技术研究AlGaN / GaN MOS-HEMT的温度相关特性
机译:屏障层厚度对高频应用的AlGaN / GaN双闸门MOS-HEMT器件性能的影响
机译:夹在GaN和Al2O3层之间的AIN层对凹陷的AlGaN / GaN MOS-HEMT的性能和可靠性的影响
机译:GaN层对AlGaN层宽比的影响对基于DG的AlGaN / GaN MOS-HEMT的模拟性能的影响
机译:氧化锌基多层体声波器件的特性。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:使用La2O3高k氧化物栅极绝缘体的alGaN / GaN mOs-HEmT器件性能
机译:alGaN和alGaN / GaN外延层中的供体,受体和陷阱