机译:大面积10kV 4H-SiC DMOSFET的设计和良率比较
Power MOSFETs; power switching; silicon carbide; yield optimization;
机译:具有稳定的亚阈值行为(与温度无关)的10kV大面积4H-SiC功率DMOSFET
机译:大面积4H-SiC 10kV结型势垒肖特基整流器的性能和稳定性
机译:4H-SiC功率DMOSFET的优化设计
机译:高性能,大面积,1600 V / 150 A,4H-SiC DMOSFET,适用于强大的大功率和高温应用
机译:碳化硅短沟道功率DMOSFET:优化设计
机译:室温简单制备高产大面积氧化石墨烯
机译:800 V 4H-SIC POWER DMOSFET结构优化的仿真研究
机译:siC DmOsFET和JFET的高温性能比较(预印)