机译:具有碲离子注入和隔离的硅碳源/漏和铂基硅化物触点可降低应变n-FinFET的接触电阻
Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore,;
Contact resistance; Schottky barrier; Tellurium (Te); fin field-effect transistor (FinFET); platinum silicide (PtSi); silicon–carbon (Si:C);
机译:带有硅硫源/离析物的硅碳源/漏应力源的应变nFinFET的接触技术
机译:利用铝注入和隔离技术的硅锗源极/漏极应变p-FinFET降低接触电阻技术
机译:利用铝离子注入和铝型材工程降低带有硅碳源/漏的应变N-MOSFET的接触电阻
机译:新型碲共注入和隔离,可有效降低n-FinFET中的源/漏接触电阻并调制栅极功函数
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:煤矿植入型空腔和硼硅化物沉淀物的强偏析过渡金属沉淀物
机译:RBs研究砷和磷界面偏析对注入多晶硅与铝之间接触烧结的影响:硅(1%)