源极区和漏极区之间具有BOX层的应变硅MOS器件

摘要

一种MOS器件包括：栅极叠层，其包括设置于栅极电介质上的栅电极；形成于栅极叠层的横向相对侧上的第一间隔体和第二间隔体；邻接第一间隔体的源极区；邻接第二间隔体的漏极区；以及位于栅极叠层下方且设置在源极区和漏极区之间的沟道区。本发明的MOS器件还包括位于沟道区下方且设置在源极区和漏极区之间的掩埋氧化物(BOX)区域。该BOX区域使得能够形成更深的源极区和漏极区以减小晶体管电阻并使尖峰缺陷自毁，同时防止栅极边缘结寄生电容。