机译:AlGaN / GaN场异质结构场效应晶体管中反压电效应的理论和实验研究
Renesas Electronics Corporation, Otsu, Japan;
GaN; heterostructure field-effect transistor (HFET); reliability;
机译:偏压下AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的压电应变
机译:应变AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射的理论模型
机译:未掺杂的GaN覆盖层对p-GaN栅极AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的影响
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的压电效应
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的工艺开发和表征
机译:自对准栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的氮化钛的合成
机译:AlGaN / GaN / AlGaN双重异质结构,用于高功率III-N场效应晶体管