机译:实时电致发光和$ I {-} V $脉冲测量评估AlGaN / GaN HEMT的电子俘获速度
Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan|c|;
Electroluminescence; GaN; Si substrate; electron trap; field-effect transistor; high-electron-mobility transistor (HEMT);
机译:掺铁的AlGaN / GaN HEMT中的缓冲陷阱:基于脉冲和瞬态测量的物理性质研究
机译:AlGaN / GaN HEMT中的陷阱现象:基于脉冲和瞬态测量的研究
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:通过脉冲I-V测量和相关的新陷阱模型调查GaN / Algan Hemts的快速和慢速电荷捕获机制
机译:高速Algan / GaN Hemts的辐射响应与可靠性
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明