机译:掺铁的AlGaN / GaN HEMT中的缓冲陷阱:基于脉冲和瞬态测量的物理性质研究
Department of Information Engineering, University of Padua, Padua, Italy;
Aluminum gallium nitride; Doping; Electron traps; Gallium nitride; HEMTs; Logic gates; MODFETs; Transient analysis; Deep level transient spectroscopy (DLTS); defects; gallium nitride; high electron mobility transistor (HEMT); trap levels; trap levels.;
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:AlGaN / GaN HEMT中的陷阱现象:基于脉冲和瞬态测量的研究
机译:掺铁缓冲剂在AlGaN / GaN HEMT中的俘获效应的应用相关性评估
机译:基于输出导纳频率色散,脉冲和瞬态测量的AlGaN / GaN HEMT中AB类操作下的陷阱研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用于脉冲操作的AlGaN / GaN HEMT热设计优化的瞬态仿真
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱