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机译:InAs纳米线隧道FET和MOSFET中的界面陷阱-第二部分:比较分析和陷阱引起的可变性
Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Gestionale e Meccanica, University of Udine, Udine, Italy|c|;
MOSFET; NEGF; nanowire; phonon scattering; quantum transport; traps; tunnel-FET;
机译:InAs纳米线隧道FET和MOSFET中的界面陷阱-第一部分:隧道FET中的模型描述和单陷阱分析
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机译:异质结和氧化物界面陷阱对InAs / Si和InAs / GaAsSb纳米线隧道FET性能的影响
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