机译:亚十纳米制程中碳纳米管FET的紧凑型虚拟源模型-第一部分:本征元素
Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA;
CNTFET; Carbon nanotube (CNT); compact model; technology assessment; technology assessment.;
机译:10纳米以下制程中碳纳米管FET的紧凑型虚拟源模型-第二部分:外部元素,性能评估和设计优化
机译:固有碳纳米管FET的非迭代紧凑建模:量子电容和弹道传输。
机译:包含非理想性的碳纳米管场效应晶体管的紧凑SPICE模型及其应用-第一部分:固有沟道区模型
机译:10纳米以下技术节点的碳纳米管场效应晶体管的紧凑建模和设计优化
机译:纳米级MOSFET,碳纳米管器件和集成电路的热和性能建模。
机译:通过原子力显微镜评估尖端碳-碳纳米管-金属基底接合处的纳米管固有电阻
机译:碳纳米管场效应的紧凑虚源模型 亚10nm系统中的晶体管 - 第I部分内部元件