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机译:完全耗尽的SOI p-MOSFET的X射线辐照有效栅极长度调制的分析
, High Energy Accelerator Research Organization, Ibaraki, Japan;
Fully depleted-silicon-on-insulator (FD-SOI); MOSFET; X-ray radiation hardness; X-ray radiation hardness.; gate length modulation; sidewall spacer;
机译:在SOI岛中制造的全耗尽双栅极薄膜SOI P-MOSFET,具有隔离的掩埋多晶硅背栅
机译:辐照全耗尽SOI器件中的带间隧穿引起的漏泄漏的栅长和漏偏压依赖性
机译:2 MeV电子辐照Si_(1-x)Ge_x S / D p-MOSFET的栅极长度相关辐射损伤
机译:具有隔离式掩埋多晶硅背栅的全耗尽双栅薄膜SOI p-MOSFET
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:通过俄歇电子能谱和X射线光电子能谱定量测定表面成分的有效衰减长度
机译:全耗尽硅 - 绝缘体(SOI)G 4 -FET和门 - 全周(GAA)MOSFET的性能分析
机译:在门控微通道板X射线成帧相机中获得均匀性,线性,饱和度和耗尽