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机译:SiGe HBT中的横向发射极电流拥挤效应建模
Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India;
Department of Electrical Engineering, IIT Madras, Chennai, India;
Department of Electrical Engineering and Information Technology, Technische Universität Dresden, Dresden, Germany;
Integrated circuit modeling; Mathematical model; Equivalent circuits; Silicon germanium; Impedance; Heterojunction bipolar transistors;
机译:SiGe HBT的横向结构参数对合成有源电感器的影响
机译:横向器件缩放和气隙深沟槽隔离对200 GHz SiGe:C HBT可靠性性能的影响
机译:集电极横向缩放对f_T> 300 GHz的高速SiGe HBT性能的影响
机译:跨越内部基极电阻的横向电荷分配,用于模拟大信号切换期间SiGe HBT中的分布式动态横向效应
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:局部和远程受阻横向扩散的铣削人群模型。激基探针在完整红细胞膜中的移动性。
机译:SiGe HBT的实验低温建模和噪声