机译:考虑到中线寄生效应的10nm节点体nFinFET的工艺引起的变化
Department of Creative IT Engineering, Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea;
Department of Creative IT Engineering, Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea;
SEMATECH, Albany, NY, USA;
Logic gates; FinFETs; Delays; Capacitance; Mathematical model; Performance evaluation; Junctions;
机译:体nFinFET中总电离剂量效应的工艺变化依赖性
机译:研究工艺引起的性能差异以及10 nm技术节点Si体FinFET的优化
机译:
机译:通过针对10 nm及更高节点的导电金属栅叠层调谐,提供具有Multi-V
机译:离子通量(剂量率)在10 nm节点FinFET上的源漏扩展离子注入中的作用以及在300 / 450mm平台上的影响
机译:使用淋巴结移植作为寄生虫感染期间皮肤与引流淋巴结之间的细胞相互作用的成像方法
机译:22nm体nFinFET中总电离剂量的三维有限元方法模拟