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机译:集成有嵌入式pMOS SCR的BJT的ESD和闩锁优化
Department of Electronics Engineering, Chien Hsin University of Science and Technology, Taoyuan, Taiwan;
BJT; SCR-incorporated BJT (SIB); electrostatic discharge (ESD); holding voltage; latchup; silicon-controlled rectifier (SCR);
机译:SCR技术集成的BJT器件,用于高压技术中,具有高闩锁抗扰性的强大ESD保护
机译:GETED-DIODE ESD SCR掺入的BJT用于反转浮动P⁺结调制
机译:串行I / O IC的ESD保护和防止闩锁的设计优化
机译:高闩锁-免疫ESD保护SCR结合的深亚微米技术BJT
机译:考虑DFM的CMOS I / O研究闩锁和ESD进入纳米尺度时代
机译:基于门控侧向BJT对的新型H +离子传感器
机译:在系统级ESD测试期间,芯片电源轨电阻钳钳钳钳钳电路的研究和设计
机译:CmOs测试结构中皮秒激光诱导闩锁与高能粒子诱导闩锁的相关性