机译:具有InGaAs / GaAs平面掺杂势垒发射器的高压增益GaAs垂直场效应晶体管
机译:具有InGaAs / GaAs伪晶面掺杂势垒发射器的垂直场效应晶体管
机译:GaAsSb / InGaAs II型和InP / InGaAs I型掺杂沟道场效应晶体管的比较研究
机译:具有InGaAs浮置量子点栅极的四面体凹槽[111] A面沟道AlGaAs / InGaAs异质结场效应晶体管
机译:GaAsSb / InGaAs异质结构的垂直隧道场效应晶体管的亚阈值斜率达到71 mV / dec
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有溅射介电层的高性能包裹栅InGaAs纳米线场效应晶体管
机译:Ingaas-Inp核心壳纳米线/ Si结用于垂直隧道场效应晶体管
机译:增强肖特基势垒InGaas / al(x)Ga(1-X)作为应变通道调制掺杂场效应晶体管的表征