机译:用于完全耗尽的SOI MOSFET的SPICE模型和参数,包括自热
机译:基于小信号模型参数的包括动态自加热的大信号SOI MOSFET模型
机译:考虑自发热和源/漏电阻影响的全耗尽SOI MOSFET分析模型
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:对包括自发热在内的全耗尽SOI MOSFET的I-V特性建模
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应