机译:三电平电荷泵研究Fowler-Nordheim应力对n-MOSFET中界面陷阱密度和发射截面的影响
机译:电应力对n-MOSFET中中间间隙界面陷阱陷阱密度和俘获截面的影响,其特征在于脉冲界面探测测量
机译:通过电荷泵研究热载流子对MOSFET中界面陷阱捕获截面的影响
机译:使用三级电荷泵确定界面阱俘获截面
机译:硅注入栅SiO / sub 2 /的n-MOSFET通过电容/亚阈值/电荷泵方法测量的界面陷阱密度的比较
机译:内部能量选择光子的形成和反应:I.阈值光电子能谱研究的共振自电离。二。内部能量选择离子的电荷和质子转移反应的横截面。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:使用三级电荷泵的界面陷阱捕获横截面的测定
机译:在潘宁离子阱中用分子氢测量高电荷氙离子和钍离子的电荷交换截面