机译:双功函数相控Ni全硅化栅极(NMOS:NiSi,PMOS:$ hbox {Ni} _ {2} hbox {Si} $和$ hbox {Ni} _ {31} hbox {Si} _ {12} $ formul
CMOS integrated circuits; MOSFET; etching; hafnium compounds; high-k dielectric thin films; nickel alloys; rapid thermal processing; silicon alloys; silicon compounds; work function; -0.37 V; 0.49 V; 100 nm; 50 nm; CMOS integration; FUSI gates; NMOS:NiSi; NiSi-HfSiON; PMO;
机译:通过Al注入(pMOS)和$ hbox {Yb} {+} hbox {P} $ Coimplant(nMOS)在SiON上具有成本效益的低$ V_ {t} $ Ni-FUSI CMOS
机译:锗对全Ni-锗硅化的$ [hbox {Ni}(hbox {Si} _ {1-x} hbox {Ge} _ {x})] $门的固相反应和有效功函数的影响
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机译:CMOS集成RTP要求的双重功函数相控Ni-FUSI(完全硅化)栅极同时在HfSiON上同时硅化nMOS(NiSi)和pMOS(富Ni硅化物)栅极
机译:13CR-4NI合金蠕变行为的研究,以模拟焊接后热处理过程中的残余应力再分布= 13CR-4NI合金蠕变行为的研究血清ang剩余ST的演变
机译:棘突类hbox12 / pmar1 / micro1多基因家族的时空表达和拷贝数变异的多样性
机译:二氧化硅支持$$ hbox {ni} _ {{x}} hbox {o} $$,$$ hbox {zn} _ {{x}} _ {{x}} hbox {o} _ { $$和$$ hbox {mn} _ {{x}} hbox {o} $$纳米复合材料:物理化学特征和水和N-癸烷的相互作用