机译:在90 nm CMOS技术中评估Alpha粒子引起的单事件瞬态漏洞
机译:在Alpha辐射下90nm大容量CMOS中取决于电源电压的片上单事件瞬态脉冲形状测量
机译:采用90nm SiGe BiCMOS技术设计的精密电压基准电路的单事件瞬态和总剂量响应
机译:90 nm CMOS技术中传播单事件瞬态脉冲宽度的电压相关性
机译:250 nm块状CMOS技术中单事件瞬态的2D TCAD模拟
机译:先进CMOS技术中重离子,中子和α粒子诱导的单事件瞬态脉冲宽度的表征。
机译:厚的0.35μmCMOS单光子雪崩二极管雪崩瞬变
机译:对不同技术的3T和4T CMOS有源像素传感器的单事件瞬态效应