机译:针对不同技术的3T和4T CMOS有源像素传感器的单事件瞬态效应
机译:对不同技术的3T和4T CMOS有源像素传感器的单事件瞬态效应
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS),可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:180nm 4T CMOS有源像素传感器的总电离剂量引起的空间等效噪声电荷的建模与分析
机译:铟镓砷化物MOSFET的单一事件瞬变,用于SUB-10 NM CMOS技术
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS)可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:4T和5T固定光电二极管CMOS图像传感器中的单事件效应
机译:采用CmOs有源像素传感器技术的集成成像传感器系统