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机译:具有高场效应迁移率的压应力P沟道多晶硅薄膜晶体管
Department of Material Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, Korea;
Strain silicon; compressive stress; polycrystalline-silicon thin-film transistor (poly-Si TFT);
机译:热应力对通过金属诱导横向结晶制备的p沟道多晶硅薄膜晶体管电性能的影响
机译:具有双轴压缩应变的应变GaSb p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率增强
机译:具有高压缩层间介电SiN_x应力层的SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声特性
机译:使用MATLAB仿真的P沟道有机场效应晶体管的电学特性和源漏电压相关的迁移率
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:高迁移率P沟道SnO薄膜晶体管的浮动Ni封盖
机译:具有有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管