机译:低温亚阈值摆动的理论极限在现场效应晶体管中的摆动
EPFL Integrated Circuits Lab ICLAB CH-2000 Neuchatel Switzerland;
EPFL Integrated Circuits Lab ICLAB CH-2000 Neuchatel Switzerland;
EPFL Integrated Circuits Lab ICLAB CH-2000 Neuchatel Switzerland;
Band tail; cryogenic; MOSFET; modeling; subthreshold slope; subthreshold swing;
机译:陡峭的亚阈值摆幅接近理论极限的完全固溶处理的底栅有机场效应晶体管
机译:亚阈值摆幅低于物理极限的MoS_2负电容场效应晶体管
机译:记录 - 低亚阈值 - 摆幅负电容2D场效应晶体管
机译:自对准的40 nm通道碳纳米管场效应晶体管,其亚阈值摆幅低至70mV /十倍
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在室温下同时实现接近理想的亚阈值摆幅和高空穴迁移率的基于黑色磷的场效应晶体管
机译:低温亚阈值摆动的理论极限在现场效应晶体管中的摆动