Department of Chemistry, Stanford University, Stanford, CA 94305;
机译:具有原位掺杂单晶锗源的硅隧道场效应晶体管,可实现低于60 mV /十年的亚阈值摆幅。
机译:通过双顶栅电压调制,具有p(+)-i-n(+)纳米线的可弯曲反馈场效应晶体管的陡峭亚阈值摆幅n和p通道操作
机译:双门金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值摆动建模和短沟道效应分析
机译:自对准的40 nm通道碳纳米管场效应晶体管,其亚阈值摆幅低至70mV /十倍
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于选择性化学的半导体分离单壁碳纳米管和纳米管阵列的对准用于场效应晶体管应用的电场下的网络
机译:Zroox负电容场效应晶体管,具有子60亚阈值摆动行为
机译:半导体碳纳米管场效应晶体管中的电输运和沟道长度调制。