机译:栅极驱动器的单片集成和P-GaN功率HEMT为MHz开关,通过E模式GAN-On-SOI过程实现
GaN-HEMTmonolithic integrationgate driverhigh-speed switching10 MHzbootstrap;
机译:基于GaN HEMT的> 1-GHz速度低侧栅极驱动器和开关单片工艺,用于865MHz功率转换应用
机译:具有栅极堆叠β-GA_2O_3 / P-GaN结构的E模式AlGaN / GaN HEMT的改进设计
机译:逆向静电放电应力下P-GAN栅极E模式GAN HEMT的降解行为及机制
机译:具有功率GaN-HEMT的单片集成E模式GaN-on-SOI栅极驱动器,用于MHz开关
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:抑制增强型P-GaN HEMTS对200毫米GAN-ON-SOI进行单片集成的电阻效应