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机译:温度和沟道掺杂对NMOSFET BSIM3阈值电压模型的影响,取决于衬底偏置方法
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:在具有均匀和水平非均匀沟道掺杂的MOS晶体管中建模阈值电压的温度系数时实现精度
机译:阈值电压灵敏度为0.1 / spl mu / m沟道长度,具有背栅偏置的全耗尽SOI NMOSFET
机译:NMOSFET的温度和窄通道依赖阈值电压模型的实现
机译:参考电压使用迁移率和阈值电压温度效应的相互补偿。
机译:印刷电解质门的定制阈值电压氧化铟通道的铬掺杂产生的场效应晶体管
机译:温度和沟道掺杂对NMOSFET BSIM3阈值电压模型的影响,取决于衬底偏置方法
机译:衬底和注入对半绝缘Gaas制备的mEsFET结构阈值电压的影响模拟