机译:肖特基势垒高度对碳化硅的反向偏置依赖性:温度和施主浓度的影响
机译:通过反向电流-反向电压和温度确定与温度无关的肖特基势垒高度
机译:氩气轰击4H碳化硅基材,用于定制肖特基二极管屏障高度
机译:碳纳米管和碳化硅界面处的肖特基势垒高度非常低
机译:氩气轰击4H碳化硅基板,用于定制肖特基二极管屏障高度
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:取决于金厚度的肖特基势垒高度用于金属硅化学腐蚀中的电荷转移
机译:温度和开关速率对碳化硅肖特基势垒二极管和MOSFET动态特性的影响