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公开/公告号CN112420694A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202011227580.X
发明设计人 孔谋夫;郭嘉欣;高佳成;吴焕杰;张丙可;黄柯;王彬;胡泽伟;陈宗棋;
申请日2020-11-06
分类号H01L27/07(20060101);H01L29/808(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人吴姗霖
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 10:00:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-23
授权
发明专利权授予
机译: 具有集成反平行结势垒肖特基续流二极管的碳化硅MOSFET及其制造方法
机译: 垂直型jfet限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型jfet限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译: 垂直型JFET限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型JFET限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:碳化硅JFET反向传导特性及其在功率转换器中的使用
机译:碳化硅(SiC)衬底上的肖特基二极管和resurf jfet和resurf mosfet晶体管的电仿真
机译:具有改善的反向恢复特性的单片集成功率MOSFET和肖特基二极管
机译:基于Si-MOSFET / Si二极管,SiC-JFET / SiC肖特基二极管和GaN晶体管/ SiC-肖特基二极管功率器件的非隔离式DC-DC降压转换器的对比设计和性能研究
机译:4H碳化硅中的单片集成功率JFET和结势垒肖特基二极管。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:碳化硅JFET功率器件的计算模型
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长