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Substrate Bias Effects on Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) in Short Channel NMOS FETs

机译：衬底偏置对短沟道NMOS FET中的漏极诱导势垒降低（DIBL）的影响

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《Australian Journal of Basic and Applied Sciences》 |2009年第12期|共6页
作者
Hazaa; M.M. Motwely; M.R.; Hassan; R.A.;
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正文语种
中图分类经济计划与管理;
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