减小NMOS器件栅极诱导漏极漏电流的方法

摘要

一种减小NMOS器件栅极诱导漏极漏电流的方法，所述NMOS器件的轻掺杂漏极注入工艺包括如下步骤：以第一能量、第一剂量执行第一次N型轻掺杂离子注入工艺；以第二能量、第二剂量执行第二次N型轻掺杂离子注入工艺；其中，所述第一次轻掺杂离子注入工艺注入的杂质离子与所述第二次轻掺杂离子注入工艺注入的杂质离子为同族元素，且第二次注入的杂质离子的扩散系数大于或等于所述第一次轻掺杂离子注入工艺的杂质离子的扩散系数；第二能量的能量值大于所述第一能量的能量值，第二剂量的剂量值小于第一剂量的剂量值。本发明可以改善NMOS器件的栅极诱导漏极漏电流效应而又不会引起NLDD掺杂区与袋掺杂区之间PN结的漏电流。