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机译:真空退火对外延掺杂La的BaSnO3薄膜电子迁移率的影响
机译:高温生长的缓冲层提高了外延掺杂La的BaSnO3 / SrZrO3异质结构中的电子迁移率
机译:透明导电La掺杂BaSnO3外延膜中依赖成分的金属-半导体跃迁
机译:通过电解质门控探测外延BasnO3薄膜的散射机制和迁移率增强
机译:La掺杂BaSnO3薄膜中迁移抑制的起源(Ⅱ)
机译:吸附对外延铜(100)薄膜电子性能的影响
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:真空退火对外延La掺杂BasnO3薄膜电子迁移的影响