半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构

摘要

本发明提供一种半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构，其中，该半绝缘GaN薄膜为碳和铁掺杂的半绝缘GaN薄膜层，其中，碳的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3；铁的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3。本发明操作方法简单、成本低、工作效率高，通过该方法制备的半绝缘GaN品质高、纯度高，对杂质的记忆效应小，绝缘性能好，并能有效的减少漏电流。