一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构

摘要

本实用新型公开了一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长LT-GaAs缓冲层(2)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(3)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(4)、NT-AlGaAs缓冲层(5)。该材料结构在适当的低温生长条件下具有半绝缘的特性，可以增强集成电路芯片的电学隔离性能，提高静电防护能力。