首页> 中国专利> GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜及其纳米外延过生长方法

GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜及其纳米外延过生长方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜的纳米外延过生长方法，包括：(1)采用MOCVD方法在Si衬底上生长AlN成核层；(2)采用MOCVD方法在AlN成核层上外延生长GaN外延层；(3)在GaN薄膜层上沉积SiO

著录项

公开/公告号CN106981415A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-25

原文格式PDF
申请/专利权人华南理工大学;
展开▼

申请/专利号CN201710259151.2
发明设计人刘智崑;李国强;李媛;
展开▼

申请日2017-04-19
分类号
代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人罗观祥
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2023-06-19 02:53:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170419

实质审查的生效
2017-07-25

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜及其纳米外延过生长方法 [P] . 中国专利： CN106981415A . 2017-07-25
2. 基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 [P] . 中国专利： CN113555431A . 2021-10-26
3. Method of growing a gallium nitride semiconductor film for the gallium nitride-based semiconductor electronic devices , a method of fabricating a gallium nitride-based semiconductor electronic devices , the epitaxial substrates , and gallium nitride-based semiconductor electronic devices [P] . 日本专利： JP5582217B2 . 2014-09-03

机译：生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法，制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法，外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
4. VAPOR GROWTH METHOD OF CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE (GaN) AND CRYSTALLINE GALLIUM NITRIDE (GaN) [P] . 日本专利： JP2018101718A . 2018-06-28

机译：氮化镓（GaN）和氮化镓（GaN）的气相生长方法
5. Nitride growth substrate, especially for hetero epitaxial deposition of gallium nitride useful in optoelectronic devices, produced by bonding compliant thin films of growth and support substrates and thinning the growth substrate [P] . 法国专利： FR2787919A1 . 2000-06-30

机译：氮化物生长衬底，特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积，是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的