机译:Ta和Cu的化学机械平面化抛光浆料中Ta / Cu接触区的电化学阻抗特性:电蚀的考虑
Department of Physics, Box 5820, Clarkson University, Potsdam, NY 13699, United States;
chemical mechanical planarization; copper electrode; galvanic corrosion; impedance spec- troscopy; tantalum electrode;
机译:Ta / TaN阻挡层的下层处理对化学机械抛光浆料中Cu种子和Ta腐蚀的影响
机译:铜与钌阻挡层金属膜互连的化学机械抛光中的电偶腐蚀控制
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:化学机械抛光中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的偶联效果
机译:基于统计分析和基于传感器的用于半导体应用的铜覆盖晶片的电化学机械抛光(ECMP)建模。
机译:Cu / Al宏观腐蚀电池铝牺牲阳极溶解废水中工业染料的电化学降解
机译:化学机械抛光薄铜线平面化技术研究