Cu和low-k介质化学机械抛光时材料去除的AFM研究

摘要

通过静态腐蚀实验和纳米划痕实验研究了pH值和H2O2浓度对Cu和两种低介电常数(low-k)材料化学机械抛光(CMP)时材料去除的影响.两种low-k介质材料为Black DiamondTM (SiOC:H,BD)和Parylene-C(聚氯代对二甲苯,聚合物).采用原子力显微镜(AFM)进行纳米划痕实验,以AFM探针的运动来模拟CMP时单个抛光颗粒对Cu和low-k介质的去除作用.实验结果表明,在相同下压力作用下Parylcnc-C产生的划深最大,H2O2对Parylcnc-C材料去除的影响作用较小,而pH值和H2O2对Cu和BD的材料去除具有促进作用.