机译:具有自负载效应的纳米级CMOS电路中泄漏电流估计的有效技术
Newton-Raphson method.; Subthreshold leakage; band-to-band-tunneling leakage; gate leakage; loading effect;
机译:通过相互作用漏电流机制在纳米级CMOS数字电路中的待机功耗估算
机译:CMOS运动估计电路的低动态功率和低泄漏功率技术
机译:减少比例CMOS电路泄漏的有效控制点插入技术
机译:基于负载效应的Sub 65nm尺寸CMOS电路漏电流估计的高效技术
机译:纳米级CMOS电路中减少泄漏技术的性能折衷。
机译:具有实际门延迟模型的CMOS组合逻辑电路的准确动态功率估算
机译:通过在纳米级CMOS数字电路中交互漏电流机制来备用功耗估计