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机译:用于3-D IC应用的Au钝化的Cu-Cu细间距热压键合的界面和可靠性分析
IIT Hyderabad Dept Elect Engn Hyderabad 502285 Telangana India;
IIT Hyderabad Dept Elect Engn Hyderabad 502285 Telangana India|GRIET Dept Elect & Commun Engn Hyderabad 500090 Telangana India;
3-D IC integration; Au; Cu-Cu bonding; low temperature; metal passivation; ultrathin Au;
机译:演示了用于3D IC应用的低于150摄氏度的Cu-Cu热压键合,利用锰合金的超薄层作为有效的表面钝化层
机译:在200℃以下优化的超薄锰合金钝化细间距大马士革兼容的无凸点Cu-Cu键用于三维集成应用
机译:键合参数对微间距Cu / Ni / SnAg微凸点微芯片芯片间互连可靠性的影响
机译:扩散增强型驱动器,低于100°C的晶圆级细间距Cu-Cu热压键合,用于3D IC集成
机译:使用Cu-Cu直接键合的3D微电子封装中的热机械问题及其解决方案。
机译:(111)定向和纳米孪晶铜的结合界面微观结构与铜-铜接头的剪切强度之间的相关性
机译:金属合金Cu表面钝化导致用于3D IC和异构整合应用的高质量细间距凸块Cu-Cu键合