机译:在200℃以下优化的超薄锰合金钝化细间距大马士革兼容的无凸点Cu-Cu键用于三维集成应用
Indian Inst Technol, Nano Lab 10, Dept Elect Engn, Sanareddy 502285, Telangana, India;
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机译:演示了用于3D IC应用的低于150摄氏度的Cu-Cu热压键合,利用锰合金的超薄层作为有效的表面钝化层
机译:用于3-D IC应用的Au钝化的Cu-Cu细间距热压键合的界面和可靠性分析
机译:三维集成中细间距互连的低温Cu / In键合特性
机译:优化的超薄锰酮合金钝化的细间距镶嵌兼容Cu-Cu键合在亚200℃下进行3D IC集成
机译:镶嵌图案化的金属/胶粘剂晶圆键合,用于三维集成。
机译:金属合金Cu表面钝化导致用于3D IC和异构整合应用的高质量细间距凸块Cu-Cu键合