机译：勘误“不对称的下重叠双k间隔混合鳍片场效应晶体管优于块状鳍片场效应晶体管”
机译：相较于体鳍式场效应晶体管，非对称重叠双k间隔混合鳍式场效应晶体管的优势
机译：氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译：具有高k栅极电介质的三栅极体绑鳍式场效应晶体管的源/漏扩展区轮廓和间隔物长度的计算机设计
机译：双金属栅极翅片场效应晶体管性能的工作功能变化研究
机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
机译：漏极升高的鳍式隧道场效应晶体管的演示
机译：三维翅片形状的混合电热模拟 基于GaN纳米线的场效应晶体管
