机译:0.45V 300MHz 10T流通式SRAM,具有扩展的写入/读取稳定性和速度明智的阵列,适用于0.5V以下的芯片
Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Flowthrough; low voltage; read disturb; static random access memory (SRAM); write margin (WM);
机译:利用共享的Diff-VDD写入和Dropd-VDD读取来启用列选择的10T SRAM,以降低功耗
机译:Pentavariate
机译:接近阈值的10T差分SRAM单元,具有三门Finfin技术的高读写余量
机译:具有无干扰的10T SRAM单元,具有超低电压操作的高读取稳定性和写入能力
机译:计算扩展Infinium HumanMethylation450 BeadChip阵列数据以揭示类风湿关节炎的独特DNA甲基化模式
机译:10T SRAM细胞的设计改进的读取性能和扩展写余量
机译:用于大幅面多芯片发射器阵列的读入式集成电路。