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【2h】

Design of 10T SRAM cell with improved read performance and expanded write margin

机译：10T SRAM细胞的设计改进的读取性能和扩展写余量

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作者
Ashish Sachdeva; V. K. Tomar;
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年度 2020
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1. A near-threshold 10T differential SRAM cell with high read and write margins for tri-gated FinFET technology [J] . Limachia Mitesh, Thakker Rajesh, Kothari Nikhil Integration . 2018,第MARa期

机译：接近阈值的10T差分SRAM单元，具有三门Finfin技术的高读写余量
2. Analysis of Different SRAM Cell Topologies and Design of 10T SRAM Cell with Improved Read Speed [J] . Nikhil Saxena, Sonal Soni Journal of active and passive electronic devices . 2016,第1期

机译：分析不同SRAM单元拓扑和提高读取速度的10T SRAM单元设计
3. Read/write margin enhanced 10T SRAM for low voltage application [J] . Chunyu Peng, Lijun Guan, Wenjuan Lu, IEICE Electronics Express . 2016,第12期

机译：读/写余量增强的10T SRAM用于低压应用
4. A New 10T SRAM Cell with Improved Read/Write Margin and no Half Select Disturb for Bit-interleaving Architecture [C] . Honggang Zhou, Qiang Song, Chunyu Peng, ICITMI2012 . 2013

机译：一个新的10T SRAM单元，具有改进的读/写余量，无半选择打扰位交错架构
5. Design and Performance Evaluation of 8T SRAM Cell Using FinFET and CMOS at 16nm Technology [D] . Mandadi, Prasanth. 2021

机译：在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
6. Improved Performance of SRAM-Based True Random Number Generator by Leveraging Irradiation Exposure [O] . Xu Zhang, Chunsheng Jiang, Gang Dai, 2020

机译：通过利用照射暴露来提高基于SRAM的真实随机数发生器的性能
7. Read/write margin enhanced 10T SRAM for low voltage application [O] . Chunyu Peng, Lijun Guan, Wenjuan Lu, 2016

机译：用于低压应用的读/写边缘增强型10T SRAM

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