机译:用于数字逻辑的锗和III-V FET的源极和漏极触点
机译:使用SF 6 sub>等离子对锗进行表面钝化以降低锗n-FET中的源极/漏极接触电阻
机译:金属/ III-V肖特基势垒高度调整,用于非合金III-V场效应晶体管源极/漏极触点的设计
机译:利用铝注入和隔离技术的硅锗源极/漏极应变p-FinFET降低接触电阻技术
机译:FERMI级别的III-V FET源/漏极触点设计
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:先进的III-V场效应晶体管的接触和源极/漏极工程