机译:金属/ III-V肖特基势垒高度调整,用于非合金III-V场效应晶体管源极/漏极触点的设计
机译:ln_(0.7)Ga_(0.3)As N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极/漏极工程:带原位掺杂的高串联源极/漏极降低串联电阻
机译:具有肖特基接触和掺杂源/漏接触的碳纳米管场效应晶体管的传输特性比较
机译:以半导体为源/漏接触材料的高性能碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)和基于CNTFET的电子电路的制造
机译:先进的III-V / Si纳米级晶体管和触点:建模和分析。
机译:电流动力喷墨印刷有机场效应晶体管源/漏电极的几何控制
机译:用于高迁移率III-V晶体管的自对准源极和漏极接触工程