机译:O_2等离子体处理改善N面n型GaN上的Ti / Al欧姆接触
Sunchon Natl Univ Dept Printed Elect Engn Jeonnam 540742 South Korea;
VLED; N-face n-GaN; Plasma treatment; Ohmic contact;
机译:通过$ hbox {O} _ {2} $等离子处理在N面n型GaN上的低电阻非合金Ti / Al欧姆接触
机译:n型GaN的Ga面和N面的Pd / Ti / Al和Ti / Al欧姆接触材料的研究
机译:垂直结构发光二极管的Ti / Al欧姆接触与硫钝化N面n型GaN的电学性质
机译:与n型N面GaN的改进型欧姆接触,用于极低电压操作的垂直发光二极管
机译:铟过渡金属与n型砷化镓的欧姆接触的热力学研究,以及季镓-铟-(过渡或贵金属)-砷体系的热化学行为概述。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:错误至:用于垂直结构发光二极管的分子束外延生长N型GaN的Ti / Al欧姆触点的电特性
机译:p型和n型GaN上的W和W si(x)欧姆接触;真空科学与技术杂志a.