Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究

陈志忠; 秦志新; 胡晓东; 于彤军; 童玉珍; 丁晓民; 杨志坚; 张国义

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Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究

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通过电流-电压(I-V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型GaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制.Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用.在400℃到900℃范围内,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升,到500℃以后单调下降.而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差.通过两步合金法得到了n-GaN上Ti/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达9.65×10-7Ωcm2.最后还对两步合金法形成n-GaN欧姆接触的机制进行了讨论.

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来源
《高技术通讯》 |2004年第2期|36-39|共4页
作者
陈志忠; 秦志新; 胡晓东; 于彤军; 童玉珍; 丁晓民; 杨志坚; 张国义;
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作者单位

北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

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北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
n型GaN; 欧姆接触; 电流-电压(I-V)特性; 传输线法(TLM); 两步合金法;

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