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明帆; 林红斌; 胡成余; 秦志新; 陈志忠; 张国义;
北京大学,物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;
欧姆接触; GaN; TiAl3合金; 反应离子刻蚀; 比接触电阻率;
机译:Ti / Al扩散相中形成的TiAl3的氧化行为和Ti / TiAl3多相扩散对中的反应扩散
机译:两步表面处理技术:实现与n-GaN的非合金化低电阻Ti / Al / Ti / Au欧姆接触
机译:使用等离子体预处理与n型GaN的非合金化Ti /铟锡氧化物和Ti欧姆接触
机译:通过机械合金化和高压烧结制备的纳米TiO_2分散的Al_(65)Cu_(20)Ti_(20)Ti_(20)Ti_(15)的机械性能。通过机械合金化和高压烧结制备无定形/纳米晶基质基质块状复合材料
机译:20mgβ衰减和I型X射线突发中的150(α,γ)20na(p,γ)20na反应序列
机译:冷却速率对Al–4Ti中间合金中TiAl3颗粒形貌的影响
机译:机械合金化制备a356 / Tial3原位复合材料的行为磨损
机译:铝化钛(Tial3)的力学响应
机译:金属间化合物TIAL3和含复合材料TIAL3的制造
机译:抑制细胞增殖在ObInutuzumabab具有抗性CD20阳性癌症中,以及药物组合物,药物,生产,抑制细胞增殖的方法,治疗方法,II型抗CD20抗体,化合物,相同的组合,增强剂和诱导剂,每个抗CD20抗体,化合物,增强剂和诱导剂,每个抗CD20抗体,化合物,增强剂和诱导剂,每个抗CD20抗体,各自与其相关
机译:TiAl3膜作为防排烟气体的半导体器件金属线及其形成方法
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