机译:氢化非晶硅薄膜作为He-Ne激光检测电势传感器的研究
Amorphous silicon; A-si : h; Absorption coefficient; He-ne laser; Image sensors; Arrays;
机译:长期暴露于He-Ne激光和随后退火对氢化非晶硅Pin光电二极管的影响
机译:用于分布式布拉格反射器和长波长垂直腔表面发射激光器的溅射氢化非晶硅薄膜
机译:纯氮结合的氢化非晶碳薄膜的研究及其在非晶硅太阳能电池中的应用
机译:P极化激光反射法原位表征生长的氢化非晶硅薄膜
机译:非晶和纳米结构氢化硅薄膜的电子传输和噪声研究。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:氢压对氢化非晶硅薄膜的影响 通过低温反应脉冲激光沉积制备的薄膜
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日