Univ Electrocommun, Dept Elect Engn, Chofu, Tokyo 1828585, Japan;
Univ Duisburg Essen, Dept Solid State Elect, ZHO, D-47057 Duisburg, Germany;
InP; heterostructure bipolar transistor; passivation; sulfur; silicon nitride; HETEROSTRUCTURE BIPOLAR-TRANSISTORS; GRADED-BASE; SINX PASSIVATION; RECOMBINATION; GAIN; SULFUR; GAAS;
机译:发射极材料对基于InP的HBT中氮化硅钝化降解的影响
机译:基于InP的HBT的钝化
机译:基于InP的超高速异质结构器件技术:基于InP的HFET和HBT
机译:用于高比特率电路应用的基于InP的HBT的钝化
机译:开发用于单片微波集成电路的硅锗HBT和微机械无源元件。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:Kopin报告了与UCSD的Rockwell合作开发的基于InP和InGaAsN的第二代HBT的结果