机译:表面光电压谱研究Beδ掺杂GaAs / AlAs多量子阱
Semiconductor Physics Institute, A. Gostauto St. 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania;
photovoltage spectroscopy; modulation spectroscopy; quantum wells;
机译:低于Mott跃迁且接近Mott跃迁的Delta掺杂GaAs / AlAs多量子阱的差分表面光电压光谱
机译:掺铍GaAs / AlAs多量子阱的光反射和表面光电压谱
机译:利用表面光电压和压电光热技术研究在GaAs衬底上制造的GaAs / AlAs多量子阱的光吸收光谱
机译:δ掺杂GaAs / AlAs多量子阱的光反射和差分表面光电压研究
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:宽带脉冲激发的非激子成分对GaAs / AlAs多量子阱中量子拍的影响
机译:铍掺杂Gaas / alas多量子阱的光反射率和表面光电压谱
机译:具有插入的薄alas势垒的调制掺杂alGaas / Gaas / alGaas量子阱中电子迁移率的大幅增加。