机译:通过Si预混合在改性Sige叠层上的缓冲液上形成松弛Sige
Department of Materials Science and Engineering, MingShin University of Science and Technology, No. 1 Hsin-Hsin Road, Hsin-Feng, Hsin Chu, 30401, Taiwan, ROC;
relaxed sige; uhvcvd; sige islands; strained si;
机译:HV / CVD生长的SiGe HMOSFET的生长松弛SiGe缓冲层
机译:用于SiGe HMOSFET的HV / CVD生长的松弛SiGe缓冲层
机译:反向梯度SiGe缓冲层用于松弛SiGe外延生长的热稳定性
机译:在弛豫的SiGe虚拟衬底上生长的高质量应变Si /应变SiGe层的形成,用于高级CMOS应用
机译:用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
机译:SiGe量子点上Si覆盖层中纳米坑的形成
机译:硅片上的应变硅通过晶圆键合和弛豫siGe缓冲层的层转移